§3.9 Организация многокристальной памяти

Для получения требуемого объема памяти и увеличения разрядности ее можно наращивать как по «горизонтали», так и по «вертикали». Требуемая разрядность памяти достигается путем горизонтального наращивания (рис. 3.11). При этом фиксируется количество слов памяти. Требуемый объем памяти при фиксированной разрядности слов можно получить наращиванием по «вертикали» (рис. 3.12).

В целях получения требуемой организации памяти обычно используются оба способа ее наращивания. Пример организации памяти микро-ЭВМ, предназначенной для обработки сигналов, показан на рис. 3.13.

Микро-ЭВМ, работающая с такой памятью, имеет длину слова в 8 разрядов и шестнадцатиразрядную адресную шину.

Адресные входы каждой БИС подключены к 10 младшим разрядам шины адреса для обеспечения возможности обращения к каждой из ячеек соответствующей БИС.

Рис. 3.11. Горизонтальное наращивание памяти с целью получить длину ячеек в 8 бит при объеме 1024 слов (1024 х 8)

Рис. 3.12. Вертикальное наращивание памяти с целью получить объем ячеек 1024 слов при длине 8 бит (1024Х Х8)

Рис. 3.13. Функциональная схема устройства памяти микро-ЭВМ

Шесть старших разрядов необходимы для выделения с помощью дешифратора одного из 64 управляющих сигналов ВК.

В схеме, изображенной на рис. 3.13, из 64 управляющих сигналов для управления памятью необходимо только (ВКО—ВК15), остальные (с BKf6 no BK63) могут быть использованы для расширения объема памяти. Увеличение объема ППЗУ в этой схеме реализовано путем наращивания по «вертикали», увеличение разрядности ОЗУ — наращиванием по «горизонтали», а необходимый объем памяти ОЗУ — наращиванием по «вертикали».