Основные параметры физической схемы замещения.

r_э,c_э- элементы, отвечающие за свойства ЭП, который обычно смещен в прямом направлении, а потому: r_э=φ_т/I_{э рт}.

c_э- диффузионная емкость.

r_б- объемное сопротивление области базы.

r_к,c_к- элементы, отвечающие за свойства КП, который обычно смещен в обратном направлении.

r_к- учитывает наклон пологой части ВАХ.(10⁵-10⁶ом)

c_к- барьерная емкость.(c_к<<c_э)

Эквивалентная схема для транзистора с ОЭ составляется аналогично по физической модели. Параметры r_Б,c_Э,r_Э – аналогично параметрам схемы с ОБ, а параметры коллекторного перехода все определяются по-другому.

и потому наклон выходной ВАХ заметен.

- емкость коллекторного перехода транзистора с ОЭ.

βI_Б – источник тока, учитывает передачу входного тока (тока базы) в цепь коллектора.

Параметры физической и формальной схем имеют определенную связь между собой, поскольку относятся к одному транзистору.

,