logo
Конспект лекций по электронике

Основные параметры физической схемы замещения.

rэ,cэ- элементы, отвечающие за свойства ЭП, который обычно смещен в прямом направлении, а потому: rэт/Iэ рт.

cэ- диффузионная емкость.

rб- объемное сопротивление области базы.

rк,cк- элементы, отвечающие за свойства КП, который обычно смещен в обратном направлении.

rк- учитывает наклон пологой части ВАХ.(105-106ом)

cк- барьерная емкость.(cк<<cэ)

Эквивалентная схема для транзистора с ОЭ составляется аналогично по физической модели. Параметры rБ,cЭ,rЭ – аналогично параметрам схемы с ОБ, а параметры коллекторного перехода все определяются по-другому.

и потому наклон выходной ВАХ заметен.

- емкость коллекторного перехода транзистора с ОЭ.

βIБ – источник тока, учитывает передачу входного тока (тока базы) в цепь коллектора.

Параметры физической и формальной схем имеют определенную связь между собой, поскольку относятся к одному транзистору.

,