Принцип работы биполярного транзистора и соотношение для его токов.

Физическая модель биполярного транзистора и схема его включения в активном режиме:

Эмиттер – выполнен из сильно легированного полупроводника и является инжектором носителей заряда для области базы.

База слабо легирована примесями. Ширина базы много меньше диффузионной длины. W<<l_n

Коллектор сильно легирован примесями и предназначен для экстракции (поглощения) носителей зарядов, инжектируемых эмиттером.

При работе в активном режиме полярности источников напряжения U_ЭБ, U_КБ выбираются так, что ЭП смещен в прямом, а КП – в обратном направлении.

Поскольку база имеет малую концентрацию примесей по сравнению с соседними областями, то ЭП и КП располагаются в ее области.

При смещении ЭП в прямом направлении происходит ввод основных носителей заряда в базу, где они становятся не основными (инжекция). В базе введенные заряды первоначально группируются вблизи ЭП. А затем за счет диффузии или дрейфа начинают двигаться к КП. Достигнув его, неосновные носители попадают в сильное электрическое поле и переносятся им в область коллектора, где снова становятся основными носителями заряда (экстракция). Для компенсации зарядов, направляющихся в области коллектора, возникает коллекторный ток во внешней цепи. Часть зарядов области базы не достигает КП, рекомбинируя с основными носителями области базы, это создает ток базы.