3.3.1. Гальванически разделенные контуры

На рис. 3.12,а показана упрощенная модель емкостного влия­ния. Предполагается, что длина контура мала по сравнению с длиной волны самой высокой учитываемой частоты. Систе­ма проводников1,2 принадлежит к влияющему контуру, а 3, 4 - контуру, испытывающему влияние. Соответствующие элемен­ты и образуют полное сопротивление влияющего контура (рис. 3.12,б), а элементы и- полное сопро­тивлениеZ контура, испытывающего емкостное влияние.

Рис. 3.12. Емкостное влияние между гальванически разделенными контурами: а - модель влияния; б - схема замещения; в - модель влияния при экрани­ровании обоих контуров; г - схема замещения при наличии экранов

Отсюда нетрудно заметить, что напряжение помехи U_st рав­но нулю, если соблюдается условие симметрии:

Это условие можно обеспечить попарным скручиванием про­водников (провода 1 с проводом 2, провода 3 с проводом 4), а в некоторых случаях - включением симметрирующих конденса­торов.

Следующей возможностью снижения емкостного влияния в гальванически разделенных контурах является применение экранированных проводов (рис. 3.12, в) с экранами ииз хо­рошо проводящего материала, которые, как правило, соединяются с одной стороны с проводом системы опорного потенциала какого-либо контура. Благодаря этому увеличивается емкость связи. В ненагруженном состоянии для контура, испытывающего влияние (рис. 3.12,г) можно записать:

.

Из этого уравнения следует, что экранирующее воздействие тем лучше, чем больше емкость С₃₄ проводника относительно экрана по сравнению с емкостями С₁₃ и С₂₄.