logo
Лекции / литература / Основы схемотехники КМДП аналоговых ИМС с обложкой

4.2.2. «Согнутый» каскодный оитун с р-канальным входом

Вариант ОИТУН, названный нами как «согнутый» (англ. “folded”) дифференциальный каскодный ИТУН с Р – канальным входом, представлен на Рис. 4.2. На рисунке показано исходное распределение режимных токов для .

ОИТУН состоит из входной дифференциальной пары (транзисторыи), режимный ток которой является частью режимного тока двух каскодных сборок:,,,и,,,.

Рис. 4.2. «Cогнутый»

каскодный ОИТУН

с р-канальным входом

Отличие от нуля дифференциального напряжения на входе ведет к различию токов в транзисторах и. Предположим, что, отчего ток вбольше режимного, т.е., а.

В этом случае потенциал узла С возрастает, транзистор прикрывается по истоку, и в узел А от положительного источника питания приходит больший ток, чем утекает в отрицательный. Потенциал узла А, и потенциал затворов р-канальных транзисторовиувеличивается, приводя в стационарном состоянии к уменьшению токов вина. Ток в узелD от положительного источника питания уменьшился на , в то время как у транзисторовипотенциалы затворов неизменны, они продолжают быть генераторами прежних токов, потенциал узлаD уменьшился, и через стал протекать ток. В результате к выходному узлуout от притекает ток , а черезутекает ток, и конденсатор суммарной нагрузки разряжается к отрицательному источнику питания током, равным дифференциальному току входных транзисторов. Суммируя изложенное, можно утверждать, что ИТУН на рис. 3.31 является однокаскадным, поскольку нагрузка перезаряжается током, равным дифференциальному току входного дифкаскада.

В n-канальных транзисторах итекут токи, вдвое большие, чем виа в транзисторах–токи одинаковы, поэтому, при условии равенства превышения над порогомувсех транзисторов –, ширины транзисторовивдвое больше ширин и, а ширины транзисторов,,и– враз, т.е. почтивтрое больше ширин и. Ширины транзисторовиопределяют абсолютные величины тока, перезаряжающие емкость нагрузки, поэтому определяют частоту единичного усиления.