14.2 Новые технологические решения

В конце 2003 года на Токийской конференции специалисты Intel сделали очень важное заявление о разработке новых материалов для полупроводниковых транзисторов будущего. Прежде всего, речь шла о новом диэлектрике затвора транзистора с высокой диэлектрической проницаемостью (так называемый «high-k»-материал), который сейчас уже применяется взамен диоксида кремния (SiO₂), а также о новых металлических сплавах, совместимых с новым диэлектриком затвора. Решение, предложенное исследователями, снизило ток утечки в 100 раз, что позволило вплотную подойти к внедрению производственного процесса с проектной нормой 45 нм. Это решение рассматривается экспертами как маленькая революция в мире микроэлектронных технологий.

Чтобы понять, о чем идет речь, взглянем сначала на обычный МОП-транзистор (рис.14.1). В нём затвор из проводящего поликремния отделен от канала транзистора тончайшим (толщиной всего 1,2 нм или 5 атомов) слоем диоксида кремния. Столь малая толщина диэлектрика необходима для получения не только малых габаритов транзистора в целом, но и для его высочайшего быстродействия (заряженные частицы передвигаются быстрее через затвор, в результате чего такой транзистор может переключаться до 10 миллиардов раз в секунду). Упрощенно – чем ближе затвор к каналу транзистора (то есть, чем тоньше диэлектрик), тем большее влияние в плане быстродействия он будет оказывать на электроны и дырки в канале транзистора.

Но с другой стороны, такой тонкий диэлектрик пропускает большие паразитные токи утечки электронов из затвора в канал (идеальный МОП-транзистор должен пропускать ток от истока к стоку и не пропускать – от затвора к истоку и стоку). И в современных высокоинтегрированных микросхемах с сотнями миллионов транзисторов на одном кристалле токи утечки затворов становятся одной из фатальных проблем, препятствующих дальнейшему наращиванию количества транзисторов на кристалле. Более того, чем меньше по размерам мы делаем транзистор, тем тоньше нужно делать подзатворный диэлектрик. Но при его толщинах менее 1 нм резко (по экспоненте) возрастают туннельные токи утечки, что делает принципиально невозможным создание традиционных транзисторов сколь угодно малых размеров (даже если это возможно технологически). По оценкам экспертов, в современных СБИС почти 40% энергии может теряться из-за утечек.

Поэтому важность открытия ученых Intel нельзя недооценивать. После пяти лет исследований в лабораториях корпорации разработан специальный материал, позволяющий заменить традиционный диоксид кремния в обычном процессе производства микросхем. Требования к такому материалу весьма серьезны: высокая химическая и механическая (на атомарном уровне) совместимость с кремнием, удобство производства в едином цикле традиционного кремниевого техпроцесса, но главное – низкие утечки и высокая диэлектрическая проницаемость.

Если мы боремся с утечками, то толщину диэлектрика нужно повысить хотя бы до 2-3 нм (см. рисунок 14.1). Чтобы при этом сохранить прежнюю крутизну вольтамперной характеристики транзистора необходимо пропорционально увеличить диэлектрическую проницаемость материала диэлектрика. Если проницаемость объемного диоксида кремния равна 4 (или чуть меньше в сверхтонких слоях), то разумной величиной диэлектрической проницаемости нового “интеловского” диэлектрика можно считать величину в районе 10-12. Несмотря на то, что материалов с такой диэлектрической проницаемостью немало (конденсаторные керамики или монокристалл кремния), тут не менее важны факторы технологической совместимости материалов. Поэтому для нового high-k материала был разработан свой высокоточный процесс нанесения, во время которого формируется один молекулярный слой этого материала за один цикл. По мнению отечественных специалистов high-k материалом является монооксид второй группы (магния, цинка или даже меди).

Но диэлектриком дело не ограничилось. Потребовалось сменить и материал самого затвора – поликристаллический кремний. Дело в том, что замена диоксида кремния на high-k-диэлектрик ведет к проблемам взаимодействия с поликристаллическим кремнием (ширина запрещенной зоны транзистора определяет минимально возможные для него напряжения). Эти проблемы удается устранить, если использовать специальные металлы для затворов транзисторов обоих типов (n-МОП и p-МОП) в сочетании с особым технологическим процессом. Благодаря этой комбинации материалов удается достичь рекордной производительности транзисторов и уникально низких токов утечки, в 100 раз меньших, чем при использовании поликристаллического кремния в качестве материала затвора и двуокиси кремния в качестве диэлектрика затвора (рис.14.2). В этом случае уже не возникает искушения использовать для борьбы с утечками значительно более дорогую технологию SOI, как это делают некоторые крупные производители микропроцессоров.

Кроме этого корпорация Intel открыла и внедрила еще одно технологическое новшество – технологию напряженного (strained) кремния, которая впервые стала использоваться в 90-нанометровых процессорах. КМОП-ячейка представляет собой комплементарную пару транзисторов n-МОП и p-МОП (рис.14.3).

В n-МОП транзисторе канал транзистора (n-канал) проводит ток при помощи электронов (отрицательно заряженных частиц), а в p-МОП транзисторе – при помощи дырок (условно положительно заряженных частиц). Соответственно, и механизмы формирования напряженного кремния у этих двух случаев различны. Для n-МОП -транзистора используется внешнее покрытие слоем нитрида кремния (Si₃N₄), который за счет механических напряжений немного (на доли процента) растягивает (в направлении протекания тока) кристаллическую решетку кремния под затвором, в результате чего рабочий ток канала возрастает на 10% (условно говоря, электронам становится более просторно двигаться в направлении канала). В p‑МОП транзисторе наоборот: в качестве материала областей стока и истока используется соединение кремния с германием (SiGe), что немного сжимает кристаллическую решетку кремния под затвором в направлении канала. Поэтому дыркам становится «легче» «передвигаться» сквозь акцепторные атомы примеси, и рабочий ток канала возрастает на 25%. Сочетание же обеих технологий дает 20-30-процентное усиление тока. Таким образом, применение технологии «напряженного кремния» в обоих типах устройств (n-МОП и p-МОП) приводит к значительному повышению производительности транзисторов при повышении себестоимости их производства всего лишь на ~2% и позволяет создавать более миниатюрные транзисторы следующих поколений. В планах Intel – использовать напряженный кремний для всех будущих техпроцессов вплоть до 22-нанометрового.

Материал с низкой диэлектрической проницаемостью используется в качестве диэлектрика медных соединений во всех техпроцессах Intel, начиная с 0,13-микронного. Он уменьшает величину паразитной емкости, которая возникает между медными соединениями на кристалле, что повышает скорость передачи внутренних сигналов и уменьшает энергопотребление. Intel – первая и пока единственная компания, которая использует этот Low-k материал для изоляции межсоединений.