14.4 Перспективы производства сбис
Для создания высокоэффективных вычислительных систем важно интегрировать на кристалле как можно больше функций по обработке и хранению данных, а также интерфейс с пользователем и другими вычислительными системами.
Стремление к интеграции обусловлено рядом факторов. Во-первых, при однокристальной реализации пропускная способность интерфейсов между подсистемами обработки и хранения не ограничивается количеством выводов корпуса кристалла. Во-вторых, упрощается системная плата, уменьшается объём монтажных работ, уменьшается стоимость. В-третьих, снижаются требования к количеству выводов корпуса кристалла. В-четвёртых, реализуется потенциал миллионов транзисторов, которые размещаются на кристалле. Их можно использовать как для построения проблемно-ориентированных блоков, так и для параллельных систем, состоящих из совокупности одинаковых блоков.
При уменьшении геометрических размеров элементов транзисторов улучшаются все параметры схем: возрастает быстродействие, уменьшается удельное в пересчете на один транзистор потребление энергии, возрастает надежность. National Nano Device Laboratories, одна из ведущих лабораторий в области полупроводниковой индустрии на Тайване, официально объявила о создании первой в мире микросхемы с использованием техпроцесса 16 нм. Тем не менее, по словам генерального директора NNDL Йанг Фулянг (Yang Fu-liang), в данном случае речь идет лишь о лабораторных образцах, и первые коммерческие продукты на базе таких микросхем появятся очень не скоро.
По прогнозам компаний-производителей, дальнейшее развитие технологии производства микропроцессоров будет идти в направлении увеличения плотности транзисторов на кристалле, повышения степени внутреннего параллелизма, использования новых типов трехмерных транзисторов с тремя затворами, роста числа слоев металлизации, повышения тактовой частоты, уменьшением напряжения питания и удельной потребляемой электрической и выделяемой тепловой энергии.
На пути дальнейшей миниатюризации кроме физических ограничений имеются и экономические. Для каждого следующего поколения микросхем стоимость технологии удваивается. Возрастают сроки изготовления микропроцессоров до года. Во многом уже сейчас уровень технологии, используемой в массовом производстве, определяется экономическими соображениями. Увеличение числа слоев металлизации экспоненциально повышает процент брака при производстве, увеличение площади кристалла микропроцессора также приводит к снижению выхода годных кристаллов.
Перспективными направлениями развития микропроцессоров являются нанотехнология и фотоника. Нанотехнологии – это технологии манипуляции отдельными атомами и молекулами, в результате которых создаются структуры сложных спецификаций. Разделами нанотехнологий являются молекулярная электроника, квазимеханика на основе нанотрубок, квантовые компьютеры. Фотоника – это технология излучения, передачи, регистрации света при помощи волоконной оптики и оптоэлектроники.
Вопросы для самопроверки
Что такое «закон Мура»?
Зачем уменьшать размеры транзисторов на кристалле?
Каковы негативные факторы уменьшения размеров транзисторов?
Какие токи утечки существуют в транзисторе?
Из какого материала делается затвор транзистора?
Из какого материала делается металлизация микросхемы?
Что располагается между затвором и каналом МОП-транзистора?
Что такое КМОП-ячейка?
Какова суть технологии напряжённого кремния в КМОП-ячейке?
Каковы этапы производства сверхбольших интегральных схем?
Что такое фоторезист?
Что собой представляет фотошаблон?
Что такое процесс легирования?
Какова роль сухого травления?
Какие вещества используются для донорной или акцепторной примесей?
Каковы перспективные направления развития микропроцессоров?
- Предисловие
- Глава 1. Общие сведения о микропроцессорах
- 1.1 Классификация микропроцессоров
- 1.2 Характеристики микропроцессоров
- 1.2.1 Тактовая частота
- 1.2.2 Архитектура процессора
- 1.2.3 Технологический процесс производства
- 1.2.4 Частота системной шины
- 1.2.5 Размер кэша
- 1.3 Типы архитектур микропроцессоров
- 1.4 Структурная схема микропроцессоров
- 1.4.1 Микропроцессор Фон-Неймана
- 1.4.2 Конвейер
- 1.4.3 Зависимость между частотой и количеством ступеней конвейера
- 1.5 Представление информации в эвм
- 1.5.1 Двоичное представление целых чисел
- 1.5.2 Представление символьной информации
- Глава 2. Архитектура микропроцессоров ia-32
- 2.1 Состав и функции регистров
- 2.1.1 Основные регистры
- 2.1.2 Регистры дополнительных функциональных модулей
- 2.2 Типы адресации
- 2.3 Система команд
- 2.3.1 Классификация команд
- 2.3.2 Формат команды
- 2.3.3 Однобайтовые команды
- 2.3.4 Непосредственно заданные операнды
- 2.3.5 Команды с регистровыми операндами
- 2.3.7 Команды с операндами, расположенными в памяти
- Глава 3. Организация многоуровневой памяти
- 3.1 Принцип построения многоуровневой памяти
- 3.2 Организация кэш-памяти
- 3.3 Протоколы когерентности памяти микропроцессоров
- 3.4 Страничная организация памяти
- Глава 4. Режимы работы процессоров ia-32
- 4.1 Обзор режимов работы
- 4.2 Реальный режим адресации
- 4.3 Защищённый режим
- 4.3.1 Дескрипторные таблицы
- 4.3.2 Дескрипторные регистры
- 4.3.3 Дескриптор
- 4.3.4 Односегментная модель памяти
- 4.3.5 Многосегментная модель памяти
- Глава 5. Страничная организация памяти в процессорах ia‑32
- 5.1 Каталог страниц
- 5.2 Таблица страниц
- 5.3 Страничная переадресация
- 5.4 Диспетчер виртуальных машин системы Microsoft Windows
- Глава 6. Архитектура процессоров с параллелизмом уровня команд
- 6.1 Подходы к использованию ресурса транзисторов в микропроцессорах
- 6.2 Суперскалярные процессоры и процессоры с длинным командным словом
- 6.3 Зависимости между командами, препятствующие их параллельному исполнению
- 6.4 Предварительная выборка команд и предсказание переходов
- 6.5 Условное выполнение команд в vliw-процессорах
- 6.6 Декодирование команд, переименование ресурсов и диспетчеризация
- 6.7 Исполнение команд
- 6.8 Завершение выполнения команды
- 6.9 Направления развития архитектуры процессоров с параллелизмом уровня команд
- Глава 7. Мультитредовые микропроцессоры
- 7.1 Основы мультитредовой архитектуры
- 7.2 Выявление тредов
- 7.3 Мультитредовые процессоры с тредами, выявляемыми путем анализа потоков управления программы
- 7.3.1 Мультитредовая модель выполнения программы
- 7.3.2 Мультитредовые программы
- 7.3.3 Аппаратные средства мультитредовой архитектуры
- 7.3.4 Преимущества мультитредовой архитектуры
- 7.4 Мультитредовые процессоры с тредами, выявляемыми путем анализа потоков данных программы
- 7.5 Специфика мультитредовых моделей распараллеливания
- Глава 8. Модуль обработки вещественных чисел
- 8.1 Представление чисел с плавающей запятой
- 8.2 Состав модуля fpu
- Глава 9. Основы 64-разрядной архитектуры
- 9.1 Состав и назначение регистров микропроцессора ia-64
- 9.2 Особенности архитектуры epic
- 9.3 Архитектура x86-64
- 9.4 Структура одноядерного процессора
- 9.5 Многоядерные процессоры
- 9.6 Зачем нужны “лишние” разряды?
- Глава 10. Современные 64-разрядные микропроцессоры корпораций Intel и amd
- 10.1 Архитектура Intel Core 2
- 10.1.1 Intel Wide Dynamic Execution
- 10.1.2 Intel Intelligent Power Capability
- 10.1.3 Intel Advanced Smart Cache
- 10.1.4 Intel Smart Memory Access
- 10.1.5 Intel Advanced Digital Media Boost
- 10.1.6 Логическая схема процессора
- 10.2 Архитектура Intel Core i7
- 10.2.1 Технология Hyper-Threading в архитектуре Nehalem
- 10.2.2 Иерархия кэш-памяти в архитектуре Nehalem
- 10.3 Хронология развития семейств микропроцессоров с архитектурой Nehalem
- 10.4 Архитектура amd Athlon 64
- 10.4.1 Ядро процессора
- 10.4.3 Контроллер памяти
- 10.4.4 Контроллер HyperTransport
- 10.5 Архитектура amd k10
- 10.4.1 Технология amd Memory Optimizer Technology
- 10.5.2 Ядро процессора
- 10.5.3 Предвыборка данных и инструкций
- 10.5.4 Выборка из кэша
- 10.5.5 Предсказание переходов и ветвлений
- 10.5.6 Процесс декодирования
- 10.5.7 Диспетчеризация и переупорядочение микроопераций
- 10.5.8 Выполнение микроопераций
- 10.5.9 Технологии энергосбережения
- 10.5.10 Шина HyperTransport 3.0
- 10.5.11 Семейство процессоров Barcelona
- 10.5.12 Семейство процессоров Phenom
- Глава 11. Технологии, поддерживаемые современными микропроцессорами
- 11.1 Технологии тепловой защиты
- 11.1.1 Технология Thermal Monitor
- 11.1.2 Технология Thermal Monitor 2
- 11.1.3 Режим аварийного отключения
- 11.2 Технологии энергосбережения
- 11.2.1 Технология Enhanced Intel SpeedStep
- 11.2.2 Технология Cool'n'Quiet
- 11.3 Технология расширенной памяти
- 11.4 Технология антивирусной защиты
- 11.5 Технология виртуализации
- 11.6 Реализация технологий в современных микроархитектурах
- 11.6.2 Em64t – NetBurst
- 11.6.3 Intel Core
- 11.6.4 Intel Atom
- 11.6.5 Nehalem
- 11.6.6 Xeon
- Глава 12. Графические микропроцессоры
- 12.1 Основные термины и определения
- 12.2 Технологии построения трёхмерного изображения
- 12.2.1 Технологии повышения реалистичности трехмерного изображения
- 12.3 Шейдерный процессор
- 12.4 Особенности современных графических процессоров
- Глава 13. Однокристальные микроконтроллеры
- 13.1 Общая характеристика микроконтроллеров
- 13.2 Микроконтроллеры семейства avr
- Почему именно avr?
- 13.3 Общие сведения об омк avr
- 13.4 Характеристики avr-микроконтроллеров
- Глава 14. Технология производства микропроцессоров
- 14.1 Особенности производства процессоров
- 14.2 Новые технологические решения
- 14.3 Технология производства сверхбольших интегральных схем
- I. Выращивание кристалла кремния
- II. Создание проводящих областей
- III. Тестирование
- IV. Изготовление корпуса
- V. Доставка
- 14.4 Перспективы производства сбис
- Англо-русский словарь терминов и аббревиатур
- Библиографический список
- Интернет-ссылки
- 350072. Краснодар, ул. Московская, 2, кор. А.