43. Полевой тр-р с изолированным затвором с индуцированным каналом.

ПТ с изолир. затвором – это такие тр-ры, затвор которых изолирован от проводящего канала материалом диэлектрика или окисью кремния. Т.о. по структуре конструктивно получается, затвор – металлический слой, проводящий канал – полупроводник, изолятор – диэлектрик. По технологическому принципу изготовления различают 2 типа таких тр-ров: с индуцированным и со встроенным каналом.

ПТ с индуц. каналом – это такие тр-ры, в начальный момент которого проводящий канал между стоком и истоком отсутствует. Такой канал образуется в результате приложения напряжения на затворе (индуцируется) (рис. 1).

рис. 1.

Ic=f (Uз), при Uc=const.

Uз=0, канал между С и И отсутствует, а значит ток стока очень маленький приблизительно равен нулю. Пусть на затворе подается отриц. напряж., тогда электроны из п-области отталкиваются от отриц. затвора, а дырки притягиваются. В результате между С и И появляется слой с электропроводностью р-типа, кот. служит каналом, а значит ток ч/з канал растет. Чем больше отриц. напряж. (-Uз), тем больше дырок притягивается к каналу, канал расширяется, Ic увеличивается. Хар-ки смещаются вверх.

Режим работы при котором канал расширяется и Ic увеличивается, наз. режимом обогащения. Т.о. в таком ПТ канал появляется только в определенных условиях, поэтому тр-р называется и индуцированным каналом.

Параметры полевого транзистора.

1. внутреннее сопротивление:

Ri = ΔUc / ΔIc , при Uз = const.

2. крутизна характеристики:

S = ΔIc / ΔUз , при Uс = const.

3. коэффициент усиления:

K = Ri•S.

4. мощность рассеивания:

Pc = Ic рт•Uc рт.

44. Достоинства и недостатки полевых транзисторов.Достоинства

- Высокие вх. Сопр-я: ПТУП 10^6 – 10^8 Ом (сопр. Обратно смещенного p-n-перехода) и для МДП 10^12 – 10^15 Ом (Сопр тонкого слоя диэлектрика)

- Более высокое быстродействие и термостабильность, тк токи образуются основными носителями отсутствуют процессы накопления и рассасывания неосновных носителей зарядов

- Простота и технологичность изготовления (меньшее число процессов диффузии)

- малые габариты и занимаемая площадь (примерно в 5 раз больше чем биполярные)

-широкая фунц. возмож.

-полное гальваническое разд. входной цепи от выходной.

-возможность работы без спец. смещения. Что упрощает построение схем.

-малый уровень шумов, возм. Работы без спец. выравн. Из-за термоусточ.

Недостатки:

-низкая добротность: произв. усиления на полосу пропускания

-низкая временная стабильность параметров

-требование опр. мер по предосторож. из-за возм пробоя тонкого слоя диэлектрика.