35. Модель Эберса- Мола

Суть состоит в том, что транзистор представляется 2-мя взаимно инжектирующими диодами (эмиттерный ЭД и коллекторный ЭД) или точнее, как совокупность 2-х транзисторов, работающих в нормальном и инверсном активных режимах.

Токи:

Где и- обратные токи насыщения соответственно ЭП и КП при кз второго прехода- напряжение на ЭП и КП

- температурные потенциалы ЭП и КП

Обобщенный режим – режим насыщения. Х-ся инжекцией как эмиттерного, так и коллекторного перехода. Для моделирования инверсного и обобщенного режимов, в инверсном направлении включается 2-ой источник тока с коэффициентом передачи , т.е. в целом источник тока -. Направление тока совпадает с направлением. Полученная эквивалентная схема является статической в режиме боьшого сигнала.Для отражения динамических св-в схема дополняется емкостями переходов С_э и С_к, к-ые являются сумой диффузионных и барьерных емкостей. На высоких частотах необходимо учитывать частотные зависимости коэф-тов передачи по току, а в первую очередь - .

Параметрами моделью явл-ся: I_ЭО, I_КО,

Описанная модель явл-ся инжекционной моделью Эберса – Мола (построен на принципе взаимной инжекции) и справедлива для всех режимов работы транзистора.