logo
shemotehnika-usilitelnih-kaskadov

Список литературы

  1. Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. —3-е изд., пер. и доп. — М.: Высшая школа, 2000.

  2. Бобровский В.П. и др. Справочник по схемотехнике для радиолюбителя. — 2-е изд., доп. и испр. — Киев: Тэхника, 1989.

  3. Бокуняев А.А. и др. Справочная книга радиолюбителя-конструктора.— М.: Радио и связь, 1990.

4. Бочаров Л.Н. Эквивалентные схемы и параметры полупроводниковых приборов. — М.: Энергия, 1973.

  1. Булычев А.Л. и др. Электронные приборы: Учебник. —

М.: Лайт Лтд., 2000.

  1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Мир, 1984.

  2. Изъюрова Г.И., Королев Г.В., Ожогин МА. и др. Расчет электронных схем. —М.: Высшая школа, 1987.

  1. Кушманов Н.В., Васильев Н.Н., Леонтьев А.Г. Электронные приборы.— М.: Связь, 1973.

  2. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. — М.: Радио и связь, 1985.

  3. Морозова И.Г. Физика электронных приборов. — М.: Атомиздат, 1980.

  4. Николаевский И.Ф., Игумнов Д.В. Параметры и предельные режимы работы транзисторов. — М.: Советское радио, 1971.

  5. Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов. — М.: Горячая Линия — Телеком, 1999.

  6. Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы. — М.: Высшая школа, 1981.

14. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов по специальности "Полупроводники и диэлектрики" и "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987.

15. Попов В.П. Основы теории цепей: Учеб. для вузов.— 3-е изд., испр.— М.: Высшая школа, 2000.

  1. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. — СПб.: КОРОНА принт, 1998.

  2. Ред Э. Справочное пособие по высокочастотной схемотехнике: Схемы, блоки, 50-омная техника: Пер. с нем. — М.: Мир, 1990.

  3. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами. —

М.: Лайт Лтд., 2000.

  1. Соболев В.Д. Физические основы электронной техники. —

М.: Высшая школа, 1979.

  1. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.— М.: Энергия, 1977.

  2. Терещук Р.М. и др. Полупроводниковые приемноусилительные устройства: Справ, радиолюбителя.— Киев: Наукова думка, 1989.

22. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы.— М.: Энергоатомиздат, 1990.

  1. Титце У, Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. Пер. с нем. — М.: Мир, 1982.

  2. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. — М.: Советское радио, 1970.

  3. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 3 томах. Пер. с англ.— 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1993.

1 Здесь и далее везде номиналы элементов, приводимые на схемах в скобках, даются в качестве примера. Следует, однако, понимать, что многие из рассматриваемых схем по ряду своих параметров не являются оптимальными для использования на практике, а носят скорее познавательно-учебный характер

2 В обозначениях действительных (низкочастотных) дифференциальных параметров транзисторов существует некоторая путаница. В частности, очень часто y-параметры обозначаются буквой g, что отражает характер величин, описываемых этими параметрами, - это проводимости. Также буквой g с различными индексами обозначаются параметры эквивалентных схем, имеющие размерности проводимостей (например, в схеме Джаколетто).

3 Знак здесь и далее используется для обозначения параллельного соединения сопротивлений, т.е., если мы пишем , то это означает, что полное сопротивление звена должно рассчитывать по формуле:

4 В данном случае под переменными составляющими токов в цепях понимаются как дуйствующие значения (или комплексные действующие значения; см. главу 2).

5 Здесь * означает комплексное сопряжение.

6 Тут стоит отметить, что избежать всех этих сложностей с согласованием мы могли бы в том случае, если бы вместо схемы с ОЭ стали использовать во втором каскаде схему с ОБ, аналогичную той, что мы применили в первом каскаде усилителя. Практика показывает, что в данном случае итоговая настройка усилителя была бы несколько проще. Но здесь мы руководствовались только теоретическими критериями и выбрали иное решение. Будем придерживаться нашего выбора и далее, однако обратим внимание читателя на то, что при проектировании любых устройств немалое значение играет и практический опыт. Что же касается конкретного усилителя, то при его повторении можно использовать как решение с ОЭ, так и решение с ОБ, оставляя неизменными цепи смещения и режимы работы транзисторов по постоянному току

42