Расчет параметров всех элементов
В выбранной нами схеме мы в качестве основы использовали несколько нетипичное решение цепей смещения (его расчет мы не рассматривали в главе 3). Тем не менее никаких затруднений при расчете номиналов элементов возникать не должно. Главное — правильно соблюсти последовательность наших действий.
Перво-на-перво, необходимо определиться с исходной рабочей точкой основного транзистора. Воспользовавшись стандартными справочными данными, остановимся на значениях: мА, В В Для напряжения источника питания выберем =12 В.
Теперь рассмотрим цепь протекания тока "плюс источника питания — транзистор VТ1 — транзистор VТ2 — резистор ". Очевидно, что суммарное падение напряжения в этой цепи должно составлять 12 В. Для транзистора VТ1 мы выбрали = 5 В; для VТ2 разумнее всего выбрать минимально возможное падение напряжения, что достигается при равенстве потенциалов базы и коллектора (дополнительное уменьшение потенциала коллектора приводит к прямому смещению коллекторного перехода и переключению транзистора из активного режима в режим насыщения), т.е. для VТ2 мы получим 0,6 В; падение напряжения на резисторе равно напряжению на эмиттерном переходе транзистора VТ2, т.е. 0,6 В, а постоянный ток через этот резистор практически равен току эмиттера транзистора VТ1, т.е. 2 мА. Таким образом, сопротивление резистора определяется сразу же из известных значений напряжения и тока через этот резистор ( = 0,6/0,02 = 300 Ом), а падение напряжения на резисторе определяется как разность напряжения источника питания и суммы падений напряжения на остальных участках рассматриваемой цепи ( = 12 - 5 - 0,6 - 0,6 = 5,8 В). И соответственно, для сопротивления резистора имеем: = 5,8/0,02 = 2900 Ом (на практике нам придется округлить это значение до более распространенного номинала 3 кОм).
Процесс вычисления номиналов сопротивлений , протекает аналогично. Здесь только надо определиться с точным значением тока в цепи "плюс источника питания — резистор — резистор — транзистор VТ3". Естественно» его надо выбирать существенно большим, чем ток базы транзистора VТ1 (это улучшает стабильность исходной рабочей точки и позволяет избежать зависимости номиналов резисторов от статического коэффициента передачи тока базы примененных транзисторов). В нашем случае мы примем 1мА.
Емкости разделительных и блокировочного конденсаторов выбираются исходя из желаемого частотного диапазона микшера. Чем выше эти емкости, тем шире оказывается этот диапазон (происходит увеличение за счет охвата все более низких частот). На практике всегда приходится руководствоваться неким разумным пределом, что мы и делаем.
Количество входов микшера не может быть бесконечным. С их увеличением растут требования к динамическому диапазону усилительного звена. В нашем случае разумным будет ограничиться числом пять, да и вряд ли может потребоваться смешивать большее количество сигналов. Точные значения сопротивлений входного смесителя зависят от желаемого закона смешивания сигналов и их уровня. На практике лучше всего использовать подстроечные или переменные резисторы, причем таких типов, которые обеспечивают наименьший уровень низкочастотных шумов в процессе регулировки.
Окончательные номиналы всех элементов приведены на принципиальной схеме, представленной выше на рис. 6.3.
- Глава 1. О транзисторах для начинающих 6
- Глава 2. Электронные усилители на транзисторах: основные виды, параметры, характеристики и принципы проектирования 16
- Глава 3. Принципы и схемы обеспечения заданного положения рабочей точки транзисторов 34
- Глава 4. Малосигнальный анализ транзисторных схем 79
- Глава 5. Простейшие усилительные каскады на биполярных транзисторах 105
- Глава 6. Практические примеры разработки усилительных каскадов на биполярных транзисторах 168
- Введение
- Глава 1. О транзисторах для начинающих
- 1.1 Основные разновидности современных транзисторов
- 1.2. Как устроен биполярный транзистор
- 1.3. Почему биполярный транзистор может усиливать сигналы
- 1.4. Режимы работы и схемы включения биполярных транзистров
- 1.5. Классы усиления
- Глава 2. Электронные усилители на транзисторах: основные виды, параметры, характеристики и принципы проектирования
- 2.1. Виды транзисторных усилителей
- 2.2. Основные задачи проектирования транзисторных усилителей
- 2.3 Применяемые при анализе схем обозначения и соглашения
- 2.4. Статистические характеристики
- 2.5. Статические и дифференциальные параметры транзисторов
- 2.6. Основные параметры усилителей
- 2.7. Обратные связи в усилителях
- Глава 3. Принципы и схемы обеспечения заданного положения рабочей точки транзисторов
- 3.1. Понятие рабочей точки
- 3.2. Критерии выбора положения исходной рабочей точки
- 3.3. Нагрузочная характеристика усилительного каскада
- 3.4. Простейшие способы установки исходной рабочей точки
- С хема с общим эмиттером
- 3.5. Обеспечение устойчивости рабочей точки при влиянии внешних дестабилизирующих факторов
- Метод параметрической стабилизации
- Стабилизация параметров транзисторных каскадов с помощью цепей обратной связи
- 3.6. Практический расчет и особенности схемотехники реальных устройств Порядок расчета цепей смещения
- Особенности реализации цепей смещения в реальных радиоэлектронных устройствах
- Комбинированные цепи смещения с источниками и стабилизаторами тока и напряжения
- Глава 4. Малосигнальный анализ транзисторных схем
- 4.1. Представление усилительных каскадов в виде активных линейных четырехполюсников
- 4.2. Дифференциальные параметры транзистора четырехполюсника
- 4.3. Эквивалентная схема транзисторов-четырехполюсников
- 4.4 Низкочастотные дифференциальные параметры транзистора четырехполюсника
- 4.5. Виды эквивалентных схем, методы построения эквивалентных схем с действительными параметрами составляющих элементов
- 4.6. Гибридная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора
- 4.7. Физические эквивалентные схемы биполярных транзисторов
- Глава 5. Простейшие усилительные каскады на биполярных транзисторах
- 5.1. Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах
- Усилители низкой частоты
- Усилители высокой частоты
- Усилители в интегральном исполнении
- 5.2. Схема с общим эмиттером Типовое схемное решение усилительного каскада с оэ и его анализ
- Анализ влияния оос по току нагрузки на параметры каскада
- Усилительный каскад с оос по напряжению
- Следящая обратная связь
- Усилительный каскад с транзисторной обратной связью
- 5.3. Схема с общей базой Типовое схемное решение усилительного каскада с об и его анализ
- Усилительный каскад по схеме с об с трансформаторной обратной связью
- 5.4. Схема с общим коллектором Типовое схемное решение усилительного каскада с ок и его анализ
- Глава 6. Практические примеры разработки усилительных каскадов на биполярных транзисторах
- 6.1. Основные этапы процесса проектирования
- 6.2.Низкочастотный микшер Постановка задачи
- П остроение развернутой блок-схемы
- Выбор элементной базы и построение полной принципиальной схемы
- Расчет параметров всех элементов
- Разработка конструктивного исполнения, сборка и настройка
- 6.3. Антенный усилитель диапазона дмв Постановка задачи
- Построение развернутой блок-схемы
- Выбор элементной базы и построение полной принципиальной схемы
- Расчет параметров всех элементов
- Разработка конструктивного исполнения, сборка и настройка
- 6.4. Краткий обзор нескольких простых схем
- Фазовращатель на основе типового усилительного каскада с 0э (ок)
- Низкочастотный усилитель с включением регулятора громкости в цепь оос
- Приемник прямого усиления
- Включение двойного балансного смесителя на выходе усилительного звена с оэ (ок)
- Приставка к узч для обеспечения псевдоквадрафонического звучания
- Ускорение включения транзисторных усилителей
- Список литературы