4.6. Гибридная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора

У чет ряда физических процессов, имеющих место в биполярных транзисторах на высоких частотах, позволяет увеличить точность модели, описываемой П-образной схемой замещения в Y-параметрах. При этом получается так называемая гибридная высокочастотная схема замещения биполярного транзистора, известная также под именем схемы Джаколетто (рис. 4.12)

Рис.4.12. Гибридная высокочастотная схема замещения биполярного транзистора при включении с ОЭ (схема Джаколлетто)

В этой схеме:

— распределенное сопротивление базы;

— активная составляющая дифференциальной про­водимости прямосмещенного эмиттерного пере­хода;

— активная составляющая дифференциальной про­водимости обратно смещенного коллекторного перехода;

— активная составляющая дифференциальной проводимости участка между коллектором и эмиттером транзистора;

— емкость между коллектором и базой транзистора (поддается непосредственному измерению и, как правило, указывается в технической документации на транзистор), эта емкость имеет несколько составляющих: и обусловлена в основном барьерной емкостью обратносмещенного коллекторного перехода;

—емкость эмиттерного перехода транзистора (обусловлена преимущественно диффузионной емкостью, поскольку эмиттерный переход смещен в прямом направлении);

— крутизна характеристики передачи транзистора (крутизна транзистора).

Параметры схемы Джаколетто могут быть вычислены через h-параметры биполярного транзистора по формулам:

где — граничная частота коэффициента передачи тока