5.1.2 Простой усилительно-формирующий каскад

Рис. 3.5. Транзисторный усилительный каскад

В рассмотренной схеме ток базы транзистора Iб определяется входным напряжением U, падением напряжения на переходе и_бэ и сопротивлением в цепи базы Rg :

а ток коллектора I_k, , должен превышать базовый в бетта раз. Однако, при изменении тока через транзистор происходит изменение напряжения на коллекторе по закону:

и, следовательно, величина тока коллектора не может превышать максимального значения : ,

при котором напряжение на коллекторе становится равным нулю. Ток базы, при котором достигается максимальный коллекторный ток,

называется граничным током. При увеличении тока базы сверх I_g ток

коллектора не увеличивается, и транзистор переходит в так называемый режим насыщения. В режиме насыщения происходит отпирание коллекторного перехода и в базе накапливается большое количество не основных носителей заряда.

Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в режиме насыщения равно 0,5^0,1 В и транзистор эквивалентен замкнутому ключу. Для надежного замыкания ключа транзистор переводят в режим глубокого насыщения, существенно увеличивая ток базы по сравнению с граничным.

Противоположным насыщению является режим отсечки транзистора. В этом случае а транзистор можно рассматривать как ключ в разомкнутом

состоянии.

Для логических схем режимы отсечки и насыщения являются основными рабочими режимами.