2. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
2.1 Для снятия статических характеристик этого транзистора установите перемычку J1 в положение 2.
2.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «+».
2.3 Установите тумблер К2 в положение «UR».
2.4 Потенциометром R2 установите требуемый базовый ток IБ согласно табл. 3.2 (например, 50 мкА). Этот базовый ток в [мА] будет отображаться на вольтметре V2 и будет равняться напряжению в [В], поскольку сопротивление измерительного резистора базового тока равно 1 кОм.
2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».
2.6 Потенциометром R1 установите требуемое коллекторное напряжение UКЭ согласно табл. 3.1 (например, 0,5 В) по правому вольтметру V1.
2.7 Установите тумблер К1 в положение «UR». При этом правый вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует коллекторному току в [мА], протекающему через коллектор транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению коллекторного тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 1.1 (в данном примере на пересечении колонки 50 мкА и строки 0,5 В).
2.8 Повторите действия согласно п.2.4…2.7 для последующих значений коллекторного напряжения UКЭ и базового тока IБ согласно табл.3.1.
2.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях тока базы IБ. Графически из этих характеристик найти выходную проводимость при IБ =100 и 150 мкА.
2.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения UКЭ равных 0,5 В, 2 В, 8 В. Графически из этих характеристик найти значение коэффициента передачи тока базы при UКЭ=2 и 8 В.
При определении малосигнальных параметров транзисторов воспользуйтесь пояснениями к рис.3.7.
Таблица 3.1 Статические характеристики кремниевого биполярного транзистора
п-р-п типа КТ315Е
Ток IK = 10*UR, мА
UКЭ, В | IБ = UR , мкА | ||||
0 | 50 | 100 | 150 | 200 | |
0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
0,5 | 0 |
|
|
|
|
1 | 0 |
|
|
|
|
2 | 0 |
|
|
|
|
4 | 0 |
|
|
|
|
6 | 0 |
|
|
|
|
8 | 0 |
|
|
|
|
10 | 0 |
|
|
|
|
3. Сделайте выводы по работе, в которых отразите сопоставьте полученные результаты измерения малосигнальных параметров и с табличными значениями, приведенными в табл.3.2.
Таблица 3.2 Основные параметры исследуемых биполярных транзисторов
Транзистор | Тип | h21E | h22E, мСим | UКЭнас, В | UКЭмах, В | IКмах, мА | Рмах, мВт |
КТ315Е | Si, n-p-n | 50-350 | 0,2…5 | 0,4 | 35 | 100 | 150 |
- Вступление
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Полупроводниковые материалы
- 2 Структура и зонная диаграмма собственных и примесных полупроводников
- 3 Параметры собственных полупроводников
- 4 Параметры примесных полупроводников
- 5. Электропроводность примесных полупроводников.
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №2 Исследование основных типов полупроводниковых диодов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторная схема
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд508а.
- Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- Теоретические знания
- Образование электронно-дырочного перехода
- Вольтамперная характеристика р-п перехода
- Полупроводниковые диоды
- Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- 3 .2 Классификация диодов
- Параметры и применение исследуемых типов диодов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 3 Исследование статических характеристик основных типов биполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- 2. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- Теоретические знания
- 1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- 2 Работа транзистора в активном режиме
- 3 Сравнение различных схем включения транзистора
- 4 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- 6 Статические характеристики биполярного транзистора
- 7 Модель Эберса-Молла
- 8 Работа транзистора в импульсном режиме
- 9 Классификация биполярных транзисторов
- 10 Система обозначений биполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 4 Исследование статических параметров основных типов униполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- Теоретические знания
- 1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- 2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- 4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- 5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- 6 Классификация униполярных транзисторов
- 7 Система обозначений униполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 5 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе, как основного усилителя систем управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- 2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- 3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- 4 Эмиттерный повторитель напряжения
- Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя, применяемых в системах управления
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Идеальный операционный усилитель
- 2 Параметры реального операционного усилителя
- 3 Основные схемы включения операционных усилителей
- 4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 7 Исследование основных схем включения мультивибраторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- 2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- Теоретические знания
- 1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- 2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 8 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Классификация интегральных микросхем
- 2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- 3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- 4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- Контрольные вопросы