Задание к лабораторной работе
Поместить плату с исследуемым датчиком температуры в термостат.
Измерить сопротивление датчика при комнатной температуре. Значение температуры Тком, [0С] и сопротивление образца Ri, [Ом] занести в табл.1.1.
Нажать кнопку “НАГРЕВ” на стенде. При этом включится нагрев термостата. За 2 градуса до температуры 30 [0С], будет подан звуковой сигнал и нагреватель выключится. Дождаться температуры 300С и замерить значение сопротивления Ri, [Ом]. После измерения опять нажать кнопку “НАГРЕВ” на стенде, нагреватель опять включится.
Замерять по мере нагревания термостата сопротивление образца Ri, [Ом] при указанных температурах среды через каждые 10о в интервале от комнатной температуры до 90оС, согласно п.3. Результаты измерения занести в табл.1.1.
Таблица 1.1 - К расчету параметров полупроводников
Тi, оС | Ri, Ом | Ti, К | 1/Ti, К-1 | lnRi | B, К согласно (1.4) | lnR0 согласно (1.6) | lnR0 среднее значение | TPAC, 0C, согласно (1.5) | Ошибка ΔТ=ТРАС-Тi |
* |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
300 |
|
|
|
|
|
|
| ||
400 |
|
|
|
|
|
|
| ||
500 |
|
|
|
|
|
|
| ||
600 |
|
|
|
|
|
|
| ||
700 |
|
|
|
|
|
|
| ||
800 |
|
|
|
|
|
|
| ||
900 |
|
|
|
|
|
|
|
* сюда занести значение комнатной температуры по показаниям на дисплее стенда.
Построить зависимость lnRi = (1/T) согласно полученным экспериментальным данным. По построенной зависимости сопротивления определить угловой коэффициент согласно (1.4) и рис.1.1.
Рассчитать значение коэффициента lnR0 для каждой температуры согласно (1.6) и найти его среднее значение.
Определить аналитический вид калибровочной прямой температурного датчика согласно выражению (1.5), подставив в него конкретные значения и lnR0 (среднее значение).
Рассчитать значения температуры для экспериментально полученных значений сопротивления датчика согласно полученному в п.7 выражению и определить точность калибровки датчика температуры.
Результаты расчетов занести в табл.1.1.
Сделать выводы о влиянии температуры на электрическую проводимость собственного полупроводника и точности калибровки датчика.
- Вступление
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Полупроводниковые материалы
- 2 Структура и зонная диаграмма собственных и примесных полупроводников
- 3 Параметры собственных полупроводников
- 4 Параметры примесных полупроводников
- 5. Электропроводность примесных полупроводников.
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №2 Исследование основных типов полупроводниковых диодов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторная схема
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд508а.
- Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- Теоретические знания
- Образование электронно-дырочного перехода
- Вольтамперная характеристика р-п перехода
- Полупроводниковые диоды
- Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- 3 .2 Классификация диодов
- Параметры и применение исследуемых типов диодов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 3 Исследование статических характеристик основных типов биполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- 2. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- Теоретические знания
- 1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- 2 Работа транзистора в активном режиме
- 3 Сравнение различных схем включения транзистора
- 4 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- 6 Статические характеристики биполярного транзистора
- 7 Модель Эберса-Молла
- 8 Работа транзистора в импульсном режиме
- 9 Классификация биполярных транзисторов
- 10 Система обозначений биполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 4 Исследование статических параметров основных типов униполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- Теоретические знания
- 1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- 2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- 4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- 5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- 6 Классификация униполярных транзисторов
- 7 Система обозначений униполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 5 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе, как основного усилителя систем управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- 2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- 3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- 4 Эмиттерный повторитель напряжения
- Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя, применяемых в системах управления
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Идеальный операционный усилитель
- 2 Параметры реального операционного усилителя
- 3 Основные схемы включения операционных усилителей
- 4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 7 Исследование основных схем включения мультивибраторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- 2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- Теоретические знания
- 1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- 2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 8 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Классификация интегральных микросхем
- 2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- 3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- 4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- Контрольные вопросы