Лабораторные схемы

В данной лабораторной работе снимаются статические характеристики и по ним рассчитываются малосигнальные параметры кремниевого биполярного транзистора типа КТ315Е. Нумерация образцов на плате следующая:

2. Кремниевый диффузионно-эпитаксиальный транзистор п-р-п типа КТ315Е.

Исследование статических характеристик биполярного транзистора при его включении по схеме с общим эмиттером проводится с помощью лабораторного стенда, упрощенная схема которого приведена на рис.3.1.

Т ребуемый исследуемый биполярный транзистор подключается к измерительному стенду с помощью установки перемычки J1. Переключатель К4 позволяет изменять полярность напряжения U_КЭ, приложенного к коллектору относительно эмиттера. Величина этого напряжения устанавливается потенциометром R1. Переключатель К5 позволяет изменять полярность напряжения U_БЭ, приложенного к базе относительно эмиттера. Величина этого напряжения определяет величину базового тока I_Б и устанавливается потенциометром R2. Измерение напряжения U_КЭ и величины коллекторного тока I_К, осуществляется правым вольтметром V1. Измерение напряжения U_КЭ проводится прямым методом в положении «U» переключателя К1. Измерение коллекторного тока I_К проводится косвенно, путем измерения напряжения на резисторе R3 известного сопротивления в положении «U_R» переключателя К1. Измерение базового тока I_К проводится косвенно, путем измерения напряжения по левому вольтметру V2 на резисторе R4 известного сопротивления в положении «U_R» переключателя К2.