Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
2.1 Определите напряжение отсечки UОТС транзистора. Для этого:
2.1.1 Установите перемычку J1 в положение 1.
2.1.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «−».
2.1.3 Установите тумблер К1 в положение «U».
2.1.4 Потенциометром R1 установите стоковое напряжение UСИ=10 В.
2.1.5 Установите тумблер К1 в положение «UR».
2.1.6 Установите тумблер К2 в положение «U».
2.1.7 Потенциометром R2 изменяйте напряжение на затворе U3И от 0 В до тех пор, пока ток стока транзистора IC по данным правого вольтметра V1 не станет равным 0. При этом показания левого вольтметра V2 будут соответствовать искомому напряжению отсечки транзистора UОТС. Сравните полученное напряжение со справочными данными согласно табл.4.2.
2.2 Для снятия статических характеристик транзистора:
2.2.1 Установите перемычку J1 в положение 1.
2.2.2 Установите тумблер К4 в положение «+», К5 в положение «−».
2.2.3 Установите тумблер К2 в положение «U».
2.2.4 Потенциометром R2 установите требуемое напряжение на затворе U3И по левому вольтметру V1 согласно табл. 4.1 (например, −0,25 В).
2.2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».
2.2.6 Потенциометром R1 установите по правому вольтметру V2 требуемое стоковое напряжение UСИ согласно табл. 4.1 (например, 0,5 В).
2.2.7 Установите тумблер К1 в положение «UR». При этом правый вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует стоковому току в [мА], протекающему через сток транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению стокового тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 4.1 (в данном примере на пересечении колонки −0,25 В и строки 0,5 В).
2.2.8 Повторите действия согласно п.2.2.4…2.2.7 для последующих значений стокового напряжения UСИ и напряжения на затворе U3И согласно табл.4.1.
2.2.9 Постройте семейство выходных характеристик при фиксированных значениях напряжения на затворе U3И. Графически из этих характеристик найти выходное сопротивление при UЗИ =0 и UЗИ =−0,5 В.
2.2.10 Постройте семейство передаточных характеристик при фиксированных значениях напряжения UСИ. Из этих характеристик графически найти крутизну при UCИ =0,5 В и 10 В. Аппроксимируйте графики переходных характеристик до значения IC=0 в точку равную напряжению отсечки UЗИотс, определенную согласно п.2.1.7. По данным характеристикам определите величину начального тока стока IСнач при UCИ =0,5 В и 10 В и напряжении UЗИ =0 В.
Сделать выводы по работе, в которых поясните различие в передаточных характеристиках разных типов униполярных транзисторов.
Таблица 4.1 Статические характеристики полевого транзистора управляемого
р-переходом и каналом п-типа КТ303И
Ток IС = 10*UR, мА
UСИ, В | UЗИ, В | ||||
0 | -0,25 | -0,5 | -0,75 | -1 | |
0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
0,5 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
1,5 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
В табл.4.2 приведены основные параметры исследуемых униполярных транзисторов.
Таблица 4.2 Основные параметры исследуемых униполярных транзисторов
Транзистор | Тип | IСнач, мА | S, мА/В | UЗИотс, В | UЗИмах, В | UСИмах, В | IСмах, мА | Рмах, мВт |
КП303И | р-п переход, п-канал | 1,5-5,0 | 2-6 | −0,5… −2,0 | 30 | 25 | 20 | 200 |
- Вступление
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Полупроводниковые материалы
- 2 Структура и зонная диаграмма собственных и примесных полупроводников
- 3 Параметры собственных полупроводников
- 4 Параметры примесных полупроводников
- 5. Электропроводность примесных полупроводников.
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №2 Исследование основных типов полупроводниковых диодов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторная схема
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд508а.
- Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- Теоретические знания
- Образование электронно-дырочного перехода
- Вольтамперная характеристика р-п перехода
- Полупроводниковые диоды
- Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- 3 .2 Классификация диодов
- Параметры и применение исследуемых типов диодов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 3 Исследование статических характеристик основных типов биполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- 2. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- Теоретические знания
- 1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- 2 Работа транзистора в активном режиме
- 3 Сравнение различных схем включения транзистора
- 4 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- 6 Статические характеристики биполярного транзистора
- 7 Модель Эберса-Молла
- 8 Работа транзистора в импульсном режиме
- 9 Классификация биполярных транзисторов
- 10 Система обозначений биполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 4 Исследование статических параметров основных типов униполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- Теоретические знания
- 1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- 2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- 4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- 5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- 6 Классификация униполярных транзисторов
- 7 Система обозначений униполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 5 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе, как основного усилителя систем управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- 2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- 3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- 4 Эмиттерный повторитель напряжения
- Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя, применяемых в системах управления
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Идеальный операционный усилитель
- 2 Параметры реального операционного усилителя
- 3 Основные схемы включения операционных усилителей
- 4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 7 Исследование основных схем включения мультивибраторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- 2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- Теоретические знания
- 1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- 2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 8 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Классификация интегральных микросхем
- 2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- 3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- 4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- Контрольные вопросы