Влияние внешних факторов на вах реальных диодов

При прямом включении диода на его ВАХ сказывается температура. С повышением температуры уменьшается высота потенциального барьера и изменяется распределение носителей заряда по энергиям (поскольку они начинают занимать более высокие энергетические уровни). Из-за этих двух причин прямой ток через диод увеличивается с повышением температуры.

При прямом включении диода, изготовленного из полупроводникового материала с большей шириной запрещенной зоны, прямой ток через диод будет меньше, чем у диода с меньшей запрещенной зоной. Это связано с повышением высоты потенциального барьера согласно выражению (2.3). В тоже время влияние температуры для диода, изготовленного из более широкозонного материала, на прямую ветвь ВАХ будет меньше.

При больших токах в прямом смещении начинает сказываться сопротивление базы диода. Поэтому прямая экспоненциальная ветвь ВАХ, выражаемая (2.7), становится квазилинейной, поскольку ток через диод будет пропорционален сопротивлению базы. В этом случае дифференциальное сопротивление диода стремится не к нулю, как это следует из (2.7), а к некоторому конечному значению:

, (2.10)

что увеличивает прямое падение напряжения на диоде.

При обратном включении диода обратный ток диода достаточно резко возрастает с ростом температуры согласно (2.9), что связано с экспоненциальным ростом концентрации собственных носителей заряда.

Для диодов на основе более широкозонного материала величина обратного тока будет существенно меньше, поскольку концентрация собственных носителей заряда с увеличением ширины запрещенной зоны экспоненциально уменьшается. Отмеченные отличия приведены на рис.2.4.