4 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
Если переменные напряжения на переходах транзисторов достаточно малы, то токи в нем оказываются линейными функциями этих напряжений. Поэ тому транзистор можно рассматривать как линейный четырехполюсник (рис.3.5). При этом два внешних вывода четырехполюсника считают входными и соответствующие им ток и напряжение обозначают как I1 и U1. Два других вывода являются выходными, соответствующие им ток и напряжение обозначают как I2 и U2. За положительное значение принимают значения токов, входящих в четырехполюсник.
Для описания связи между I1, U2, I2 и U2 обычно используют три системы: систему z-параметров, систему y-параметров и систему h–параметров.
Для системы z-параметров напряжения рассматриваются как линейные функции тока:
. (3.23)
Коэффициенты zik, имеющие размерность сопротивления и являющиеся комплексными, можно выразить через токи и напряжения, измеренные в режиме холостого хода, следующим образом:
. (3.24)
Здесь, как и в дальнейшем, индекс 11 означает входной параметр, индекс 12 – параметр обратной связи, индекс 21 – параметр прямой передачи, индекс 22 – выходной параметр.
Для получения режима холостого хода в цепь включают сопротивление, значительно большее входного или выходного сопротивления четырехполюсника, а питание электродов осуществляют постоянным напряжением. Осуществить режим холостого хода в цепи эмиттера или базы не составляет труда, поскольку внутреннее сопротивление открытого перехода достаточно мало. Однако создать режим холостого хода в цепи коллектора затруднительно, поскольку сопротивление обратно смещенного коллекторного перехода достигает нескольких МОм. По этой причине экспериментально определить z-параметры транзистора трудно.
Для системы у-параметров токи рассматриваются как линейные функции напряжения:
. (3.25)
Коэффициенты уik, имеющие размерность проводимости и являющиеся комплексными, можно выразить через токи и напряжения, измеренные в режиме короткого замыкания, следующим образом:
(3.26)
Для получения режима короткого замыкания исследуемую цепь шунтируют сопротивлением, значительно меньшим внутреннего сопротивления соответствующей цепи. Учитывая необходимость обеспечения питания электродов транзистора постоянным напряжением, такое шунтирование можно проводить емкостью.
Режим короткого замыкания легко осуществить в цепи коллектора, где внутренне сопротивление велико. Однако осуществить режим короткого замыкания в цепи эмиттера, особенно на низких частотах, крайне затруднено. По этой причине система у-параметров ограничено применяется для описания свойств транзисторов.
Для избежания указанных трудностей для описания свойств транзисторов широко применяется система h–параметров, использующая смешанную систему определения токов и напряжений:
. (3.27)
В этой системе для определения h–параметров необходим режим короткого замыкания в выходной цепи и режим холостого хода во входной цепи, что для транзистора реализовать достаточно просто:
. (3.28)
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттеров выражение (3.27) переписывается в виде
. (3.29)
Физический смысл h–параметров следующий:
- входное сопротивление при коротком замыкании выходной цепи;
- коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе во входной цепи;
- коэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи;
- выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи.
Система h–параметров удобна для описания свойств транзисторов из-за удобства их экспериментального определения, а также из-за того, что h–параметры измеряют в режимах, близких к режимам работы транзистора в практических схемах.
Значения параметров транзистора, представленного в виде четырехполюсника, зависят от схемы включения транзистора. Однако, если эти параметры известны для какой-либо одной схемы, сравнительно легко провести пересчет для любой другой схемы. Для этого надо заменить напряжения и токи (имея в виду правило знаков), учитывая, что в транзисторе
(3.30)
(3.31)
- Вступление
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Полупроводниковые материалы
- 2 Структура и зонная диаграмма собственных и примесных полупроводников
- 3 Параметры собственных полупроводников
- 4 Параметры примесных полупроводников
- 5. Электропроводность примесных полупроводников.
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №2 Исследование основных типов полупроводниковых диодов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторная схема
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд508а.
- Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- Теоретические знания
- Образование электронно-дырочного перехода
- Вольтамперная характеристика р-п перехода
- Полупроводниковые диоды
- Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- 3 .2 Классификация диодов
- Параметры и применение исследуемых типов диодов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 3 Исследование статических характеристик основных типов биполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- 2. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- Теоретические знания
- 1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- 2 Работа транзистора в активном режиме
- 3 Сравнение различных схем включения транзистора
- 4 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- 6 Статические характеристики биполярного транзистора
- 7 Модель Эберса-Молла
- 8 Работа транзистора в импульсном режиме
- 9 Классификация биполярных транзисторов
- 10 Система обозначений биполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 4 Исследование статических параметров основных типов униполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- Теоретические знания
- 1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- 2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- 4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- 5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- 6 Классификация униполярных транзисторов
- 7 Система обозначений униполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 5 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе, как основного усилителя систем управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- 2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- 3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- 4 Эмиттерный повторитель напряжения
- Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя, применяемых в системах управления
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Идеальный операционный усилитель
- 2 Параметры реального операционного усилителя
- 3 Основные схемы включения операционных усилителей
- 4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 7 Исследование основных схем включения мультивибраторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- 2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- Теоретические знания
- 1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- 2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 8 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Классификация интегральных микросхем
- 2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- 3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- 4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- Контрольные вопросы