3 .2 Классификация диодов
По функциональному назначению все диоды подразделяются на:
Выпрямительные диоды. Это диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный.
Импульсные диоды. Это диоды, имеющие малую длительность переходных процессов и предназначенные для применения в импульсных режимах.
Диоды Шотки. Это диоды, выпрямительные свойства которых основаны на использовании свойств перехода металл-полупроводник.
Сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды. Это диоды, предназначенные для преобразования и обработки сверхвысокочастотных сигналов на частотах более 300 МГц.
Детекторные СВЧ диоды. Это диоды, предназначенные для детектирования СВЧ сигналов.
Переключающие СВЧ диоды. Это диоды, предназначенные для применения в устройствах управления уровнем СВЧ мощности.
Стабилитроны. Это диоды, предназначенные для стабилизации напряжения, принцип действия которых основан на использовании эффекта лавинного или туннельного пробоя обратносмещенного р-п перехода.
TVS-диоды (transient voltage supressor). полупроводниковые приборы с резко выраженной нелинейной вольтамперной характеристикой, подавляющие импульсные электрические перенапряжения, амплитуда которых превышает напряжения лавинного пробоя диода.
Стабисторы. Это диоды, предназначенные для стабилизации напряжения, принцип действия которых основан на использовании прямой ветви ВАХ прямосмещенного р-п перехода.
Стабилитроны с напряжением, равным ширине запрещенной зоны. Это стабилитроны с малой величиной минимального тока стабилизации и напряжением стабилизации равным ширине запрещенной зоны кремния (около 1,22 – 1,25 В).
Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). Это диоды, предназначенные для генерации СВЧ колебаний, принцип действия которых основан на лавинном пробое обратносмещенного р-п перехода.
Туннельные диоды. Это диоды на основе вырожденного полупроводника, имеющие на ВАХ прямосмещенного р-п перехода участок с отрицательной дифференциальной электропроводностью.
Обращенные диоды. Это диоды с критической концентрацией примеси, в которых проводимость при обратном напряжении вследствии туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении.
Варикапы. Это диоды, действие которых основано на зависимости емкости обратносмещенного р-п перехода от приложенного напряжения и которые применяются в качестве элементов с электрически управляемой емкостью.
Фотодиоды. Это диоды, принцип действия которых основан на инжекции неосновных носителей заряда в базу под действием света.
Светодиоды. Это диоды, принцип действия которых основан на излучении электромагнитных колебаний видимого и ИК-диапазона путем спонтанного излучения за счет излучательных переходов основных носителей заряда, возбужденных электрическим током.
У словно-графические обозначения основных типов диодов приведены на рис.2.5.
В основу системы обозначений полупроводниковых диодов согласно ОСТ 11 336.038-77 положен семизначный буквенно-цифровой код, первый элемент которого (буква – для приборов широкого применения, цифра – для приборов специального назначения) обозначает исходный полупроводниковый материал. Второй элемент обозначения – буква, определяет подкласс приборов, третий элемент – цифра или буква, определяет один из основных характеризующих данный прибор признаков. Четвертый, пятый и шестой элемент – трехзначной число, обозначающее порядковый номер разработки. Седьмой элемент – буква, характеризует классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.
Для обозначения материала (первый элемент) используют: Г или 1 – германий и его соединения; К или 2 – кремний и его соединения; А или 3 – арсенид галлия; И или 4 – фосфид индия.
Для обозначения подклассов приборов (второй элемент) используются буквы: Д – выпрямительные, импульсные диоды; Ц – выпрямительные столбы и мосты; В – варикапы; И – туннельные диоды; А – СВЧ диоды; С – стабилитроны и стабисторы; Г – генераторы шума; Л – излучающие светодиоды.
Значение третьего элемента, характеризующего основной признак прибора, зависит от подкласса прибора.
Примеры обозначений:
ГД508А – германиевый импульсный диод с временем восстановления от 150 до 500 нс, порядковый номер разработки 08, группа А.
КД215Б – кремниевый выпрямительный диод с прямым током более 0,3 А и менее 10 А, предназначенный для устройств широкого применения, номер разработки 15, группа Б.
- Вступление
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Полупроводниковые материалы
- 2 Структура и зонная диаграмма собственных и примесных полупроводников
- 3 Параметры собственных полупроводников
- 4 Параметры примесных полупроводников
- 5. Электропроводность примесных полупроводников.
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №2 Исследование основных типов полупроводниковых диодов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторная схема
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд508а.
- Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- Теоретические знания
- Образование электронно-дырочного перехода
- Вольтамперная характеристика р-п перехода
- Полупроводниковые диоды
- Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- 3 .2 Классификация диодов
- Параметры и применение исследуемых типов диодов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 3 Исследование статических характеристик основных типов биполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- 2. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- Теоретические знания
- 1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- 2 Работа транзистора в активном режиме
- 3 Сравнение различных схем включения транзистора
- 4 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- 6 Статические характеристики биполярного транзистора
- 7 Модель Эберса-Молла
- 8 Работа транзистора в импульсном режиме
- 9 Классификация биполярных транзисторов
- 10 Система обозначений биполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 4 Исследование статических параметров основных типов униполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- Теоретические знания
- 1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- 2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- 4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- 5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- 6 Классификация униполярных транзисторов
- 7 Система обозначений униполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 5 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе, как основного усилителя систем управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- 2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- 3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- 4 Эмиттерный повторитель напряжения
- Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя, применяемых в системах управления
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Идеальный операционный усилитель
- 2 Параметры реального операционного усилителя
- 3 Основные схемы включения операционных усилителей
- 4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 7 Исследование основных схем включения мультивибраторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- 2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- Теоретические знания
- 1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- 2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 8 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Классификация интегральных микросхем
- 2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- 3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- 4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- Контрольные вопросы