logo

Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.

    1. Для снятия вольтамперной характеристики этого диода установите перемычку J1 в положение 4.

    2. Снимите прямую ветвь вольтамперной характеристики.

      1. Для этого установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К3 в положение «мА».

      2. Установите тумблер K1 в положение «UR». Потенциометром R1 установите напряжение 10 В, что соответствует току, протекающему через диод 10 мА. Значение напряжения в [В] будет полностью соответствовать значению тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R2 в этом случае равно 1 кОм. Переключите тумблер K1 в положение «U». При этом вольтметр покажет прямое падение напряжения на диоде. Полученные результаты занесите в таблицу 2.1.

      3. Повторите п.3.2.2 для значений токов I[мА]=UR[В], указанных в таблице 2.1.

    1. Снимите обратную ветвь вольтамперной характеристики.

      1. Для этого установите тумблер К4 в положение «−», тумблер К3 в положение «мА».

      2. Установите тумблер K1 в положение «UR». Потенциометром R1 установите напряжение 0,05 В, что соответствует току, протекающему через диод 0,05 мА. Значение напряжения в [В] будет полностью соответствовать значению тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R2 в этом случае равно 1 кОм. Переключите тумблер K1 в положение «U». При этом вольтметр покажет обратное падение напряжения на диоде. Полученные результаты занесите в таблицу 2.1.

      3. Повторите п.3.3.2 для значений токов I[мА]=UR[В], указанных в таблице 2.1.

    2. Постройте вольтамперную характеристику стабилитрона 1N5201. По ней определите минимальное напряжение стабилизации UСТмин, максимальное напряжение стабилизации UСТмах, минимальный IСТ мин и максимальный IСТ мах токи стабилизации, считая, что номинальное напряжение стабилизации UНОМ этого стабилитрона равно 3,3 В, а отклонение напряжения стабилизации не должно превышать ±5 %. При определении указанных параметров воспользуйтесь пояснениями к рис. 2.8. Рассчитайте дифференциальное сопротивление стабилитрона rДиф при обратном смещении используя выражение (2.12). Сравните полученные значения с табличными параметрами стабилитрона 1N5201 согласно табл.2.2.

  1. Сделайте выводы по работе, сравнив сопоставимые параметры исследуемых диодов. Опишите области применения исследуемых диодов.

При определении параметров диодов, воспользуйтесь пояснениями к рис.2.3 и 2.8. В таблице 2.2 приведены основные параметры исследуемых диодов.

Таблица 2.2 – Параметры исследуемых диодов

Тип диода

Материал

Применение

UПр, В

UОбр max, В

IОбр , мкА

IПр max , мА

UCT, В

ΔUCT, %

IСТ max , мА

IСТ min , мА

rДиф, Ом

ГД508А

Ge

Импульсный

0,6

8

3-20

10

-

-

-

-

-

1N5201

Si

Стабилитрон

-

-

-

20

3,3

±5

20

1

60