10 Система обозначений биполярных транзисторов

В основу системы обозначений полупроводниковых биполярных транзисторов согласно ОСТ 11 336.038-77 положен семизначный буквенно-цифровой код, первый элемент которого (буква – для приборов широкого применения, цифра – для приборов специального назначения) обозначает исходный полупроводниковый материал. Второй элемент обозначения – буква, определяет подкласс приборов (для биполярных транзисторов буква Т), третий элемент – цифра или буква, определяет один из основных характеризующих данный прибор признаков. Четвертый, пятый и шестой элемент – трехзначной число, обозначающее порядковый номер разработки. Седьмой элемент – буква, характеризует классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения материала (первый элемент) используют: Г или 1 – германий и его соединения; К или 2 – кремний и его соединения; А или 3 – арсенид галлия; И или 4 – фосфид индия. Для обозначения подклассов приборов (второй элемент) используются букву Т – биполярный транзистор. Значение третьего элемента (цифра), характеризующего основной признак прибора, для биполярных транзисторов определяет рассеиваемую мощность транзистора и его граничную частоту:

1 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;

2,3 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;

4,5 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;

6,7 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;

8 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;

9 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;

Примеры обозначений:

ГТ109Б – германиевый сплавной р-п-р транзистор низкочастотный и маломощный, порядковый номер разработки 09, группа Б.