3 Основные схемы включения операционных усилителей
Синтез разнообразных устройств на операционных усилителях и правила их анализа базируются на следующих принципах:
Свойства устройств, создаваемых на базе операционных усилителей за счет их охвата внешней обратной связью, полностью определяются лишь свойствами этой обратной связи.
Входы ОУ не потребляют ток от цепи источника сигнала.
Между входами ОУ имеет место виртуальный нуль, т.е. напряжение управления Uoy в любой схеме включения равно нулю.
Существует три основные схемы усилителей на основе ОУ: инвертирующий, неинвертирующий усилители и повторитель напряжения.
Инвертирующий усилитель. Схема такого усилителя приведена ранее на рис.6.2,а. Соотношение резисторов R1, R2 определяет коэффициент усиления. Резистор R1 повышает входное сопротивление усилителя, а резистор R3 нужен для компенсации входных токов ОУ, но и может и отсутствовать, то есть неинвертирующий вход может быть заземлен. Такой усилитель инвертирует входной сигнал, имеет небольшое входное сопротивление, но его коэффициент усиления может быть как больше, так и меньше единицы.
Коэффициент усиления по напряжению инвертирующего усилителя приблизительно равняется
. (6.3)
Знак “-“ помечает, что входной сигнал усилителем инвертируется.
Входное сопротивление такого усилителя определяется параллельным соединением входного сопротивления ОУ и уменьшенного в (КU + 1) раз сопротивления резистора обратной связи входного сопротивления R2 и последовательно включенного сопротивления резистора R1
, (6.4)
где || - знак обозначения параллельного соединения элементов;
rВХ, К – входное сопротивление и коэффициент усиления ОУ.
Поскольку, то входное сопротивление инвертирующего усилителя практически определяется номиналом сопротивления R1.
Выходное сопротивление инвертирующего усилителя определяется
, (6.5)
где rВЫХ – выходное сопротивление ОУ.
Реально входное сопротивление усилителя достигает десятков…сотен кОм, а выходной десятков Ом.
Неинвертирующий усилитель. Схема такого усилителя приведена ранее на рис.6.2,б. Соотношение резисторов R1, R2 определяет коэффициент усиления. Резистор R1 повышает входное сопротивление усилителя, резистор R2 является резистором обратной связи, а резистор R3 нужен для компенсации входных токов ОУ. Такой усилитель не инвертирует входной сигнал, имеет большое входное сопротивление, но его коэффициент усиления может быть только больше единицы.
Коэффициент усиления по напряжению неинвертирующего усилителя приблизительно равняется
. (6.6)
Входное сопротивление такого усилителя определяется приблизительно из
(6.7)
где МСФ – коэффициент ослабления синфазного сигнала ОУ.
Сравнение (6.4) и (6.7) показывает, что входное сопротивление неинвертирующего усилителя, как правило, значительно выше, чем у инвертирующего и достигает десятков МОм.
Выходное сопротивление неинвертирующего усилителя определяется также согласно (6.5).
, (6.8)
Повторитель напряжения. Это частный случай неинвертирующего усилителя (см. рис.6.2,в). Его коэффициент усиления равняется 1, поскольку R2 = 0, а R1 = ∞. Он имеет очень большое входное сопротивление (достигает десятков - сотен МОм) и малое выходное сопротивление (достигает десятков Ом). Поэтому его используют для согласования каскадов.
Значение сопротивления резистора R3 инвертирующего и неинвертирующего усилителей выбирают из условия
. (5.9)
- Вступление
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Полупроводниковые материалы
- 2 Структура и зонная диаграмма собственных и примесных полупроводников
- 3 Параметры собственных полупроводников
- 4 Параметры примесных полупроводников
- 5. Электропроводность примесных полупроводников.
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №2 Исследование основных типов полупроводниковых диодов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторная схема
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд508а.
- Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- Теоретические знания
- Образование электронно-дырочного перехода
- Вольтамперная характеристика р-п перехода
- Полупроводниковые диоды
- Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- 3 .2 Классификация диодов
- Параметры и применение исследуемых типов диодов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 3 Исследование статических характеристик основных типов биполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- 2. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- Теоретические знания
- 1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- 2 Работа транзистора в активном режиме
- 3 Сравнение различных схем включения транзистора
- 4 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- 6 Статические характеристики биполярного транзистора
- 7 Модель Эберса-Молла
- 8 Работа транзистора в импульсном режиме
- 9 Классификация биполярных транзисторов
- 10 Система обозначений биполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 4 Исследование статических параметров основных типов униполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- Теоретические знания
- 1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- 2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- 4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- 5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- 6 Классификация униполярных транзисторов
- 7 Система обозначений униполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 5 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе, как основного усилителя систем управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- 2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- 3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- 4 Эмиттерный повторитель напряжения
- Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя, применяемых в системах управления
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Идеальный операционный усилитель
- 2 Параметры реального операционного усилителя
- 3 Основные схемы включения операционных усилителей
- 4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 7 Исследование основных схем включения мультивибраторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- 2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- Теоретические знания
- 1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- 2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 8 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Классификация интегральных микросхем
- 2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- 3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- 4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- Контрольные вопросы