5. Электропроводность примесных полупроводников.

Температурная зависимость электропроводимости примесных полупроводников более сложная чем у собственных (рис.1.10). Это связано как с генерацией носителей заряда так и с механизмом их рассеяния. На участке “вымораживания примеси” удельная электропроводность полупроводника обусловлена только примесными электронами (участок 1), то есть

. (1.20)

С учетом (1.11) и (1.16)

. (1.21)

На участке “истощения примеси” концентрация носителей заряда не зависит от температуры. Поэтому удельная электропроводимость определяется только температурной зависимостью подвижности. При низких температурах доминирует рассеяние электронов на ионизированной примеси, то есть выполняется соотношение (1.18). Тогда:

. (1.22),

то есть электропроводимость полупроводника растет (участок 2а). При достаточно высоких температурах возникает рассеяние электронов на тепловых колебаниях узлов кристаллической решётки, тогда верно (1.11), а электропроводимость равняется

. (1.23),

то есть электропроводимость полупроводника с ростом температуры уменьшается (участок 2б). При больших температурах на участке “собственной проводимости” электропроводимость с ростом температуры растет, согласно (1.16) (участок 3).