2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
Технологическое отклонение номиналов резисторов, емкостей и коэффициента передачи транзистора по току β, а также их температурная зависимость, вызывает необходимость в стабилизации начального тока базы. Практически для этой цели используют отрицательную обратную связь с помощью введения эмиттерного резистора R5 (последовательная ООС по току). Механизм действия ООС в такой схеме работает следующим образом:
Е сли при возрастании температуры увеличился ток коллектора , то это приведет к увеличению падения напряжения на резисторе R5 (рабочая точка покоя сместится вверх), что уменьшит напряжение на базе транзистора . Поскольку напряжение на базе транзистора и входное напряжения включены последовательно, то это в свою очередь уменьшит ток базы , а значит и ток коллектора транзистора (точка покоя сместится вниз). Таким образом, происходит температурная стабилизация рабочей точки тока покоя транзистора.
Использование такого резистора уменьшает коэффициент усиления каскада, но ток коллектора в этом случае уже не зависит от β
. (5.9)
Для того чтобы влияние ООС сказывалось только на постоянном токе, эмиттерный резистор R5 шунтируют емкостью С3. Тогда на высоких частотах ООС по переменному току будет отсутствовать за счет малого реактивного сопротивления этой емкости. Конденсаторы С1 и С5 разделяют цепи постоянного и переменного тока, что обеспечивает независимость каскада усиления от других каскадов.
Коэффициент усиления по напряжению такого каскада приблизительно равняется
. (5.10)
Знак “−“ означает, что входной сигнал усилителем инвертируется.
Входное сопротивление такого усилителя определяется параллельным соединением сопротивления базового делителя и входного сопротивления базового перехода
(5.11)
где || - знак обозначения параллельного соединения элементов.
Выходное сопротивление усилителя определяется в первую очередь сопротивлением коллекторной нагрузки и выходным сопротивлением коллекторного перехода и поскольку последнее значительно больше, то выходное сопротивление усилителя приблизительно равняется
. (5.12)
Реально входное сопротивление усилителя достигает единиц…десятков кОм, а выходное - единиц кОм …сотен Ом.
- Вступление
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Полупроводниковые материалы
- 2 Структура и зонная диаграмма собственных и примесных полупроводников
- 3 Параметры собственных полупроводников
- 4 Параметры примесных полупроводников
- 5. Электропроводность примесных полупроводников.
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа №2 Исследование основных типов полупроводниковых диодов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторная схема
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд508а.
- Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- Теоретические знания
- Образование электронно-дырочного перехода
- Вольтамперная характеристика р-п перехода
- Полупроводниковые диоды
- Влияние внешних факторов на вах реальных диодов
- 3 .2 Классификация диодов
- Параметры и применение исследуемых типов диодов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 3 Исследование статических характеристик основных типов биполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- 2. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- Теоретические знания
- 1 Структура и основные режимы работы биполярного транзистора
- 2 Работа транзистора в активном режиме
- 3 Сравнение различных схем включения транзистора
- 4 Малосигнальные параметры биполярного транзистора
- 6 Статические характеристики биполярного транзистора
- 7 Модель Эберса-Молла
- 8 Работа транзистора в импульсном режиме
- 9 Классификация биполярных транзисторов
- 10 Система обозначений биполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 4 Исследование статических параметров основных типов униполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- Теоретические знания
- 1 Структура и принцип работы униполярного транзистора с управляющим р-п переходом
- 2 Структура и принцип работы униполярного транзистора с изолированным затвором
- 4 Малосигнальные параметры униполярных транзисторов
- 5 Основные схемы включения униполярных транзисторов
- 6 Классификация униполярных транзисторов
- 7 Система обозначений униполярных транзисторов
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 5 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе, как основного усилителя систем управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Выбор режима работы усилителя по постоянному току
- Нагрузочная прямая строится следующим путем (только для линейной нагрузки):
- 2 Стабилизация работы транзисторного усилителя с помощью отрицательной обратной связи
- 3 Амплитудно - частотная характеристика усилителя
- 4 Эмиттерный повторитель напряжения
- Если учитывать сопротивление базового делителя, то входное сопротивление приблизительно равняется
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя, применяемых в системах управления
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- 1 Идеальный операционный усилитель
- 2 Параметры реального операционного усилителя
- 3 Основные схемы включения операционных усилителей
- 4 Зависимость коэффициента усиления оу и фазового смещения от частоты
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 7 Исследование основных схем включения мультивибраторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- 1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- 2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- Теоретические знания
- 1 Мультивибратор на биполярных транзисторах
- 2 Мультивибратор на основе операционного усилителя (оу)
- Контрольные вопросы
- Лабораторная работа № 8 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- Лабораторные схемы
- Домашнее задание
- Задание к лабораторной работе
- Теоретические знания
- Классификация интегральных микросхем
- 2 Условные обозначения и таблицы истинности основных логических элементов
- 3 Типовые схемы базовых логических элементов интегральных микросхем
- 4 Сравнение ттл и кмоп логических элементов
- Контрольные вопросы