14.3.3. Зу типа 2d-m

В ЗУ типа 2D-M ЗМ для записи n-разрядных двоичных чисел состоит из n плоских матриц для одноименных разрядов всех чисел, что имеет место в ЗУ типа 3D. Однако процесс записи и считывания информации существенно отличается, поскольку в ЗУ типа 2D-M используются другие ЗЭ, к каждому из которых подходят только две координатные линии. ЗЭ таких ЗУ имеют два входа (координатный и записи) и один выход, но обычно их выход объединен со входом записи.

Структура одноразрядного ЗУ типа 2D-M (ЗМ для j-го разряда всех ячеек памяти) приведена на рис. 14.8.

Рис.14.8. Структура ЗУ типа 2D-M для j-ого разряда

Как и в ЗУ типа 3D, код адреса i-й ячейки памяти разделяется на две части, одна из которых поступает на БАВ, а другая – на разрядно-адресный коммутатор (РАдрК). РАдрК является не только устройством адресной выборки j-го разряда i-й ячейки памяти, но также устройством записи и считывания информации, хранимой в ЗЭ. Если на БАВ и РАдрК не приходит сигнал обращения к памяти Обр, то на их выходных линиях не возникают действующие на ЗЭ сигналы и все ЗЭ находятся в режиме хранения. При наличии сигнала Обр выполняется считывание или запись в зависимости от сигнала Чт/Зап. При считывании БАВ выдает по линии i сигнал выборки для считывания, по которому со всех ЗЭ линии i сигналы их состояний поступают на РАдрК. Коммутатор РАдрК мультиплексирует эти сигналы и передает на выход (Вых. инф.) сигнал только с линии i. При записи БАВ выдает по линии i сигнал выборки для записи. Коммутатор РАдрК в зависимости от значения сигнала Вх. инф. выдает сигнал записи 0 или 1 на линию i и сигналы, не воздействующие на ЗЭ, в остальные линии. В результате запись производится только в ЗЭ, лежащий на пересечении координатных линий iи i, причем i/i = i (ЗЭ серого цвета).

Структура типа 2D-M является наиболее удобной для построения полупроводниковых ЗУ на МОП-структурах и широко используется в настоящее время как в динамических оперативных, так и в постоянных ЗУ.