6.1.4 Стираемые программируемые постоянные запоминающие устройства

В отличие от однократно программируемых устройств, на практике часто бывает удобнее иметь дело с многократно программируемыми

( перепрограммироемыми) устройствами. Одним из вариантов является использование стираемых программируемых постоянных запоминающих устройств (СППЗУ).

СППЗУ-транзистор имеет такую же структуру, как стандартный МОП-транзистор, но с дополнительным ( вторым) плавающим затвором из поликристаллического кремния, изолированного слоями оксида кремния. В незапрограммированном состоянии плавающий затвор не заряжен и не влияет на работу обычного затвора. Чтобы запрограммировать транзистор, необходимо приложить к контактам затвора относительно высокое напряжение, около 12 Вольт. При этом транзистор резко включается, и быстрые электроны преодолевают слой оксида кремния, направляясь в плавающий затвор. После снятия сигнала программирования, отрицательно заряженные частицы остаются в плавающем затворе. Их заряд стабилен и при соблюдении правил эксплуатации не рассеивается на протяжении более 10 лет. Накопленные на плавающем затворе заряды блокируют нормальную работу обычного затвора и, таким образом, позволяют отличать запрограммированные ячейки от незапрограммированных. Благодаря этому свойству такие транзисторы можно использовать для формирования ячеек памяти (рис.6.6).

Рис.6.6. Ячейка памяти на основе СППЗУ-транзистора

Такая ячейка памяти больше не нуждается в плавких перемычках, наращиваемых перемычках или программируемых фотошаблоном соединениях. Для программирования используются входы устройства для заряда плавающих затворов выбранных транзисторов, тем самым блокируя их работу. В этих случаях в ячейках памяти будут храниться логические 1. Стирание ячеек памяти есть не что иное, как ”вытекание” электронов из плавающего затвора, которое происходит под воздействием ультрафиолетового излучения.